水热法制备氧化钛纳米棒阵列结构及其光电性能研究 01月20日
【摘要】一维纳米棒相比于纳米颗粒来说,沿轴向方向电子迁移率要高一个数量级,而在基底上有序排列的纳米棒相比于杂乱堆积的纳米棒电学性能更佳。因此采用由一维纳米棒组成的阵列结构作为光阳极对于提高电池的电流密度和光电转换效率非常有利。本文的工作即围绕导电玻璃基底上生长氧化钛一维纳米棒阵列结构展开,主要包括两个方面,水热合成金红石纳米棒阵列以及水热合成锐钛矿纳米棒阵列。在水热合成金红石阵列过程中,考察了对基 […]
TiO_2锂离子电池负极材料的制备及结构与电化学性能研究 01月20日
【摘要】与传统的石墨负极材料相比,锐钛矿TiO2负极材料具有较高的工作平台电压(对锂电位约1.7V),能够避免SEI膜的形成,增强电池的安全性,保证电池在在高倍率和较高温度下正常工作,同时,二氧化钛还具有储量丰富、成本低廉、自放电低、循环性能倍率性能好等优点,是一种非常具有应用前景的电极材料。但是该材料的面临的最大问题是导电性能较差,提高二氧化钛负极材料电子导电率和锂离子扩散能力是实现该材料进一步 […]
基于硅纳米晶体的薄膜和块体材料的研究 01月20日
【摘要】硅纳米晶体由于尺寸效应因而有着迥异于体硅的光电特性。利用硅纳米晶体薄膜成功制备光电器件是研究人员正努力突破的重要方向。另外,利用硅纳米晶体制备的三维块体材料也展现出巨大的应用潜力,颇具开发价值。本文综合研究了硅纳米晶体及其薄膜和三维块体的结构和性能。在成膜方面,利用溶液法和全气相法将冷等离子体法合成的非有意掺杂SiNCs沉积成膜,基于此制备了硅纳米晶薄膜晶体管(TFT),所制TFT的载流子 […]
扩硼硅pn结二极管室温近红外电致发光的研究 01月20日
【摘要】随着集成电路的发展,芯片集成度越来越高,传统的金属互连结构带来的层间干扰、能量耗散、信号延迟等问题越来越严重,已经成为制约超大规模集成电路发展的瓶颈。用光子作为信息载体的光互连取代传统的以电子作为信息载体的电互连将大大提高集成电路的性能,是未来芯片技术重要的发展方向。实现光互连的大规模应用,必须发展与当前集成电路制造工艺兼容的高效硅基光源。硅pn结发光二极管由于结构简单,并与传统集成电路制 […]
锂硫电池正极材料的制备及其电化学性能研究 01月19日
【摘要】硫作为新型锂离子电池的正极材料,具有很高的理论容量,并且资源丰富,价格低廉,对环境几乎无污染,因此极具发展潜力和应用前景。但是单质硫几乎不导电,并且在循环过程中形成的多硫化物极易溶于电解液,造成活性物质损失,循环性能下降,这些缺点严重限制了锂硫电池的商业化生产。本文通过静电纺丝的方法,以PAN溶液为外液,PMMA为内液,经过碳化处理制备了多孔中空的碳纤维,并进一步研究了碳化温度对材料结构的 […]
Al_(11)Cr_4相的制备、表征及其机理研究 01月19日
【摘要】Al-Cr合金是一种典型的二元铝合金,具有良好的抗高温氧化、抗应力腐蚀及硫化的性能,作为涂层材料在表面工程领域得到广泛的研究和应用。A1-Cr-元合金相图作为基本数据,对于Al-Cr合金的研究和制备有重要指导作用。2006年,一个成分为75at.%Al,具有三斜结构的新相被发现,被命名为Al11Gr40但该相在其他研究中未得到报道与证实,在相图中的成分范围及分解温度也未最终确定。本文通过在 […]
用霍尔效应测试研究直拉单晶硅的电学性能 01月19日
【摘要】霍尔效应测试是半导体测试技术中一种重要的测试手段,用于测量半导体材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等电学参数,在研究和生产中有广泛的应用。本文以霍尔效应测试为主要研究手段,研究了重掺n型单晶硅的载流子迁移率随温度变化的关系、迁移率计算模型Klaassen模型在n型补偿硅中的适用性、以及快速热处理(RTP)向硅中注入的氮的电活性,得到以下主要研究结果:(1)研究了重掺磷和重掺硼直拉单晶 […]
非晶薄膜腐蚀性能及高熵薄膜力学性能的研究 01月19日
【摘要】金属合金的发展经历了四个不同的阶段。第一种合金是传统的金属合金,以一种金属元素为基本元素,例如Fe、Cu、和Al等常见金属,加入少量的其他金属或非金属元素,以期获得在特定工作环境中所需要的性能。但是,取决于传统合金的成分,这类合金材料只能在623-823K温度范围内稳定存在,高于此温度范围,合金材料将失去其原有的优异性能。从1973年开始,第二种金属合金是金属间化合物,由于其良好的热稳定性 […]
中温高强度铝合金钎料的制备与性能研究 01月19日
【摘要】钎焊是铝合金连接最常用的方法之一。目前铝合金钎焊用钎料主要为Al-Si系,该类钎料熔点较高,极易造成钎焊铝合金母材的晶粒长大、溶蚀。过高的钎焊温度也易造成母材发生过烧、溶蚀等现象,从而降低钎焊接头的性能。现有的其他Al-Si-Cu系和Al-Si-Mg系铝合金钎料,Cu含量为27-29wt.%,过多的Cu含量使材料变脆及钎焊时出现对母材的溶蚀,很难得到性能优良的钎焊接头。6系可热处理强化铝合 […]
硅基SnO_2异质结器件的电致发光及其增强策略的研究 01月19日
【摘要】Sn02是直接禁带半导体且具有相当高的室温激子束缚能(-130meV),然而由于其双极子-束缚特性,几乎不能产生带间复合发光。在此情况下,利用SnO2缺陷态产生电致发光近年来引起人们的研究兴趣。本文制备了Sn02/P+-Si异质结,并实现了基于该异质结的器件的低电压/电流驱动的紫外-可见电致发光,具体的主要结果如下:(1)研究了不同温度热处理的Sn02/P+-Si异质结器件的电致发光。研究 […]
- 分类:硕士论文
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