【摘要】霍尔效应测试是半导体测试技术中一种重要的测试手段,用于测量半导体材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等电学参数,在研究和生产中有广泛的应用。本文以霍尔效应测试为主要研究手段,研究了重掺n型单晶硅的载流子迁移率随温度变化的关系、迁移率计算模型Klaassen模型在n型补偿硅中的适用性、以及快速热处理(RTP)向硅中注入的氮的电活性,得到以下主要研究结果：(1)研究了重掺磷和重掺硼直拉单晶 […]

【摘要】透明导电电极材料在信息科技和新能源技术中起到了很重要的作用。这些材料,尤其是透明导电氧化物(TCO)广泛应用于低发射率涂层,平板显示,薄膜太阳能电池和有机发光二极管等器件上。在这类材料中,n型掺杂的氧化锌(Zn0)具有良好的光电性能。怎样增加载流子迁移率是制备高性能Zn0基透明导电薄膜的关键技术,因为迁移率的提高不仅可以减低电阻率,而且可以提高光透过率。在本文中,我们研究了H、F两种非金属 […]

【摘要】随着半导体技术的不断发展,SiMOSFET器件的小型化日益接近其物理极限,而具有高迁移率的Ge材料和HfO2等高κ介质由于其在未来MOSFET技术中的应用前景得到研究者的广泛关注。各种新结构GeMOSFET器件中,肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)因为在源漏浅结的制造、源漏接触电阻的降低、制备温度的降低和制备工艺的简化等方面具有优势而成为了研究的热点。本文首先通过仿真模拟分析了S […]

【摘要】近年来，因柔韧性好、工艺简单、制造成本低以及可较低温度下大面积生产等特点，有机场效应晶体管（OFET）受到广泛关注。目前，OFET在性能上已取得了很大进展，但将其普遍应用于柔性显示驱动及有机集成电路等领域中还面临着诸多挑战。其中，金属电极与有机半导体间的界面接触电阻是影响器件性能的一个关键因素。研究表明，在金属电极与有源层间插入合适的修饰层能够有效的改善界面接触质量，提升OFET器件性能， […]

【摘要】随着硅(Si)基MOSFETs器件的缩小逼近其物理极限,提高其性能已经变得越来越困难,因此对新材料新结构的研究将变得越来越重要。一方面,锗(Ge)因其具有较高的空穴迁移率和电子迁移率而成为在未来CMOS器件中最有潜力替代Si的新沟道材料。另一方面,高介电常数(high-k)栅介质因其具有更高的介电常数而有利于栅氧化层厚度的进一步减小。所以,high-k栅介质Ge基金属-氧化物-半导体场效应 […]

【摘要】在过去十年里，有机聚合物太阳能电池的研究突飞猛进，因其原料电池成本低廉，最大光电转换效率(PCE)已经突破10%。然而，有机小分子太阳能电池的PCE因吸收光谱和相应的能量损耗不匹配，其PCE也比有机聚合物太阳能电池低.使得有机小分子研究受限。因此，本文采用DFT方法，选用苯并二噻吩和齐聚噻吩作为给体片段，选择不同的受体片段，通过分子构建模式、拓扑结构、给受体片段组成与比例等因素，设计和研究 […]