【摘要】Sn02是直接禁带半导体且具有相当高的室温激子束缚能(-130meV),然而由于其双极子-束缚特性,几乎不能产生带间复合发光。在此情况下,利用SnO2缺陷态产生电致发光近年来引起人们的研究兴趣。本文制备了Sn02/P+-Si异质结,并实现了基于该异质结的器件的低电压/电流驱动的紫外-可见电致发光,具体的主要结果如下：(1)研究了不同温度热处理的Sn02/P+-Si异质结器件的电致发光。研究 […]