【摘要】霍尔效应测试是半导体测试技术中一种重要的测试手段,用于测量半导体材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等电学参数,在研究和生产中有广泛的应用。本文以霍尔效应测试为主要研究手段,研究了重掺n型单晶硅的载流子迁移率随温度变化的关系、迁移率计算模型Klaassen模型在n型补偿硅中的适用性、以及快速热处理(RTP)向硅中注入的氮的电活性,得到以下主要研究结果：(1)研究了重掺磷和重掺硼直拉单晶 […]

【摘要】直拉硅抛光片的表面质量和氧沉淀对集成电路成品率的影响很大。无论在硅片生产还是在集成电路制造中,硅片都要经过高温退火。因此,高温退火对硅片表面质量和氧沉淀影响的研究显得十分重要。本文研究了200mm直拉硅抛光片经高温退火后的表面状态以及氧沉淀,取得了如下主要结果：1.研究了实际生产中200mm单面抛光硅片在消除表面空洞型缺陷的1200℃退火工艺后,表面出现彩雾和白雾的问题。通过清洗炉管消除金 […]