【摘要】硅纳米晶体由于尺寸效应因而有着迥异于体硅的光电特性。利用硅纳米晶体薄膜成功制备光电器件是研究人员正努力突破的重要方向。另外,利用硅纳米晶体制备的三维块体材料也展现出巨大的应用潜力,颇具开发价值。本文综合研究了硅纳米晶体及其薄膜和三维块体的结构和性能。在成膜方面,利用溶液法和全气相法将冷等离子体法合成的非有意掺杂SiNCs沉积成膜,基于此制备了硅纳米晶薄膜晶体管(TFT),所制TFT的载流子 […]

【摘要】非晶氧化物半导体（AOS）由于迁移率高,可以在低温下制备等优点而受到研究者的广泛关注。采用AOS作为沟道层的薄膜晶体管（TFT）被认为是下一代大尺寸、高分辨率以及柔性平板显示的主流技术。目前AOSTFT主要是InGaZnO4为沟道层,虽然在日韩等企业中已经逐步实现了工业化,但是仍然面临着In元素成本高,TFT良率低的困扰。这样一个技术变革的时代对我国的平板显示工业是一个难得的机遇。因此,开 […]

【摘要】本文针对非掺杂多晶半导体薄膜晶体管（ThinFilmTransistors,TFTs）的晶粒间界势垒提出了一个适用的解析模型。首先，我们成功建立了基于物理描述的非掺杂多晶半导体TFTs晶粒间界势垒高度的清晰的解析模型。此解析模型是基于离散晶粒分析（DiscreteGrainAnalysis）和U型的晶界缺陷态密度(DensityOfStates,DOS)分布得到的。解析解的求解过程用到了朗 […]

【摘要】本论文针对多晶硅薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)提出了一个解析的亚阈值区电流模型，该模型在金属诱导横向结晶和准分子激光结晶两种不同结晶工艺的器件上得到了验证。首先，本文澄清了多晶硅TFTs的亚阈值区电流成分为漂移电流，并首次发现亚阈值区沟道有效迁移率（effectivechannelmobility,μeff）遵守Meyer-Neldelrul（eMNR）。两种不 […]

【摘要】铁电存储器是一种利用铁电薄膜材料的自发极化在电场中两种不同取向作为逻辑单元来存储数据的非易失性存储器,且具有高速度读写、高密度集成、抗辐射等优点。本博士论文主要分为两大部分：一部分以锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜制备方法和性能研究为基础,采用新的电学测试方法研究铁电薄膜界面钝化层效应和界面层电学特性,在其基础上研究铁电栅介质／掺铝氧化锌薄膜的晶体管存储器件；另一部分以铁酸铋(BFO)铁电薄膜制 […]