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ZnO纳米材料的制备及其光阳极与光催化性能的研究 01月21日

【摘要】利用半导体材料在光照下电荷分离效应,实现将太阳能转化为电能或化学能,是一种解决能源与环境可持续发展的理想方案。ZnO是一种直接带隙半导体材料,容易制备多种形貌,得到较大比表面积和一维电子传输通道,使其成为一种非常具有前景的太阳能转化材料。本文采用表面修饰方法在一维ZnO纳米线阵列的基础上,制备TiO2/ZnO、HfO2/ZnO、Al2O3/ZnO核壳结构及ZnO三维纳米结构,并讨论光生电荷 […]

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Fe-Si-Ni磁粉芯的制备及其磁性能研究 01月20日

【摘要】随着电子信息技术的飞速发展,金属磁粉芯被广泛应用于线路滤波器、输出电感和开关电源等领域。金属磁粉芯是将磁性粉末颗粒与非磁性绝缘介质混合均匀后压制成型的一类软磁材料,主要分为铁粉芯、铁硅(Fe-Si)磁粉芯、高磁通(Fe-Ni)磁粉芯、铁硅铝(Fe-Si-Al)磁粉芯、铁硅镍(Fe-Si-Ni)磁粉芯、铁镍钼(MPP)磁粉芯和非晶纳米晶磁粉芯。其中,Fe-Si-Ni磁粉芯作为一种新型金属磁粉 […]

晶体硅太阳电池用硅片表面钝化的研究 01月20日

【摘要】在能源危机和环境污染日益严峻的今天,如何高效利用绿色清洁的太阳能受到了广泛关注和研究,晶体硅太阳电池是利用太阳能最有效的手段之一。为了降低晶体硅太阳电池的制造成本,并提高电池的光电转换效率,对太阳电池表面钝化技术的研究具有重要意义。本文首先研究了高压水蒸汽热处理对氢化非晶硅薄膜钝化效果改善情况。研究发现,高压水蒸汽热处理能明显改善氢化非晶硅薄膜钝化效果,而且即使在较低温度和较短时间条件下, […]

水热法制备氧化钛纳米棒阵列结构及其光电性能研究 01月20日

【摘要】一维纳米棒相比于纳米颗粒来说,沿轴向方向电子迁移率要高一个数量级,而在基底上有序排列的纳米棒相比于杂乱堆积的纳米棒电学性能更佳。因此采用由一维纳米棒组成的阵列结构作为光阳极对于提高电池的电流密度和光电转换效率非常有利。本文的工作即围绕导电玻璃基底上生长氧化钛一维纳米棒阵列结构展开,主要包括两个方面,水热合成金红石纳米棒阵列以及水热合成锐钛矿纳米棒阵列。在水热合成金红石阵列过程中,考察了对基 […]

TiO_2锂离子电池负极材料的制备及结构与电化学性能研究 01月20日

【摘要】与传统的石墨负极材料相比,锐钛矿TiO2负极材料具有较高的工作平台电压(对锂电位约1.7V),能够避免SEI膜的形成,增强电池的安全性,保证电池在在高倍率和较高温度下正常工作,同时,二氧化钛还具有储量丰富、成本低廉、自放电低、循环性能倍率性能好等优点,是一种非常具有应用前景的电极材料。但是该材料的面临的最大问题是导电性能较差,提高二氧化钛负极材料电子导电率和锂离子扩散能力是实现该材料进一步 […]

基于硅纳米晶体的薄膜和块体材料的研究 01月20日

【摘要】硅纳米晶体由于尺寸效应因而有着迥异于体硅的光电特性。利用硅纳米晶体薄膜成功制备光电器件是研究人员正努力突破的重要方向。另外,利用硅纳米晶体制备的三维块体材料也展现出巨大的应用潜力,颇具开发价值。本文综合研究了硅纳米晶体及其薄膜和三维块体的结构和性能。在成膜方面,利用溶液法和全气相法将冷等离子体法合成的非有意掺杂SiNCs沉积成膜,基于此制备了硅纳米晶薄膜晶体管(TFT),所制TFT的载流子 […]

扩硼硅pn结二极管室温近红外电致发光的研究 01月20日

【摘要】随着集成电路的发展,芯片集成度越来越高,传统的金属互连结构带来的层间干扰、能量耗散、信号延迟等问题越来越严重,已经成为制约超大规模集成电路发展的瓶颈。用光子作为信息载体的光互连取代传统的以电子作为信息载体的电互连将大大提高集成电路的性能,是未来芯片技术重要的发展方向。实现光互连的大规模应用,必须发展与当前集成电路制造工艺兼容的高效硅基光源。硅pn结发光二极管由于结构简单,并与传统集成电路制 […]

锂硫电池正极材料的制备及其电化学性能研究 01月19日

【摘要】硫作为新型锂离子电池的正极材料,具有很高的理论容量,并且资源丰富,价格低廉,对环境几乎无污染,因此极具发展潜力和应用前景。但是单质硫几乎不导电,并且在循环过程中形成的多硫化物极易溶于电解液,造成活性物质损失,循环性能下降,这些缺点严重限制了锂硫电池的商业化生产。本文通过静电纺丝的方法,以PAN溶液为外液,PMMA为内液,经过碳化处理制备了多孔中空的碳纤维,并进一步研究了碳化温度对材料结构的 […]

Al_(11)Cr_4相的制备、表征及其机理研究 01月19日

【摘要】Al-Cr合金是一种典型的二元铝合金,具有良好的抗高温氧化、抗应力腐蚀及硫化的性能,作为涂层材料在表面工程领域得到广泛的研究和应用。A1-Cr-元合金相图作为基本数据,对于Al-Cr合金的研究和制备有重要指导作用。2006年,一个成分为75at.%Al,具有三斜结构的新相被发现,被命名为Al11Gr40但该相在其他研究中未得到报道与证实,在相图中的成分范围及分解温度也未最终确定。本文通过在 […]

用霍尔效应测试研究直拉单晶硅的电学性能 01月19日

【摘要】霍尔效应测试是半导体测试技术中一种重要的测试手段,用于测量半导体材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等电学参数,在研究和生产中有广泛的应用。本文以霍尔效应测试为主要研究手段,研究了重掺n型单晶硅的载流子迁移率随温度变化的关系、迁移率计算模型Klaassen模型在n型补偿硅中的适用性、以及快速热处理(RTP)向硅中注入的氮的电活性,得到以下主要研究结果:(1)研究了重掺磷和重掺硼直拉单晶 […]