【摘要】本文针对非掺杂多晶半导体薄膜晶体管（ThinFilmTransistors,TFTs）的晶粒间界势垒提出了一个适用的解析模型。首先，我们成功建立了基于物理描述的非掺杂多晶半导体TFTs晶粒间界势垒高度的清晰的解析模型。此解析模型是基于离散晶粒分析（DiscreteGrainAnalysis）和U型的晶界缺陷态密度(DensityOfStates,DOS)分布得到的。解析解的求解过程用到了朗 […]