SiZnSnO薄膜的制备与应用研究

SiZnSnO薄膜的制备与应用研究

作者:师大云端图书馆 时间:2024-01-15 分类:硕士论文 喜欢:1555
师大云端图书馆

【摘要】非晶氧化物半导体(AOS)由于迁移率高,可以在低温下制备等优点而受到研究者的广泛关注。采用AOS作为沟道层的薄膜晶体管(TFT)被认为是下一代大尺寸、高分辨率以及柔性平板显示的主流技术。目前AOSTFT主要是InGaZnO4为沟道层,虽然在日韩等企业中已经逐步实现了工业化,但是仍然面临着In元素成本高,TFT良率低的困扰。这样一个技术变革的时代对我国的平板显示工业是一个难得的机遇。因此,开展我国独立自主的氧化物TFT技术是很有必要的。本文通过脉冲激光沉积法研究了非晶SiZnSnO薄膜的室温(25℃)制备过程。改变生长过程中的O2分压,发现在5Pa氧分压下对应的SiZnSnO薄膜表面的平整度最好。XRD和HR-TEM表明室温下生长和400℃退火后的薄膜都是处于非晶状态。结合椭圆偏振发现SZTO(0.06)对应的薄膜最致密。紫外-可见光透射谱测试结果表明SiZnSnO薄膜在可见光范围内的透过率都在80%以上。XPS表明Si对薄膜中氧空位具有抑制作用,掺入Si含量越多,薄膜中的氧空位就会越少。将SiZnSnO应用于TFT的沟道层。室温下制备的TFT性能并不突出,但是在400℃退火后的器件达到了很好的性能,SZTO(0.06)对应的TFT场效应迁移率为μFE=0.80cm2V-1S-1,阈值电压Vth=4.12V,亚阈值摆幅S=0.863V/decade,电流开关比Ion/off≈107.对SiZnSnOTFT的进行了不同相对湿度与气氛环境的稳定性研究,发现TFT背沟道处吸附H2O会导致关态电流和开态电流的增加,而Si的适当引入会促进TFT器件的长期稳定性。采用脉冲激光沉积技术制备了SiZnSnO/Si异质结,并通过XPS测定Zn和Sn的芯能级,计算了SiZnSnO/Si的价带带阶,并结合SiZnSnO的光学禁带宽度确定了SiZnSnO/Si异质结的能带结构。
【作者】吴传佳;
【导师】叶志镇;吕建国;
【作者基本信息】浙江大学,材料科学与工程,2014,硕士
【关键词】SiZnSnO;非晶氧化物半导体;薄膜晶体管;平板显示;

【参考文献】
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