【摘要】本论文针对多晶硅薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)提出了一个解析的亚阈值区电流模型，该模型在金属诱导横向结晶和准分子激光结晶两种不同结晶工艺的器件上得到了验证。首先，本文澄清了多晶硅TFTs的亚阈值区电流成分为漂移电流，并首次发现亚阈值区沟道有效迁移率（effectivechannelmobility,μeff）遵守Meyer-Neldelrul（eMNR）。两种不 […]