【摘要】以ZnO、ZnSe和ZnTe为代表的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体和以GaN材料为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料(包括AlN、GaN、InN及其合金)在光电器件的应用上获得了快速的发展。Ⅲ-Ⅴ族氮化物具有优良的光电性质,稳定的化学性质,使其可在高温、酸碱、辐射环境下使用。它们都是直接带隙材料且带隙跨越很大,可从InN的0.7eV到AlN的6.28eV,在蓝、绿光和紫外波段的光电子器件方面应用广泛。Zn […]

【摘要】近年来,随着科学技术的不断进步,在半导体材料方面取得的成果也越来越明显,特别是AIN,GaN,InN及其合金化合物等III-V族氮化物半导体材料,更是得到了快速的发展。其中,GaN材料作为III-V族化合物半导体材料的代表,由于其拥有着优良的物理、化学性质和十分广泛的应用前景,逐渐成为研究的热点。GaN及其合金化合物都是直接带隙半导体材料并且带隙宽度的变化范围很大,根据组分的不同,带隙可从 […]

【摘要】近年来,随着经济的快速发展,水体重金属污染问题日益严重,直接影响着人类生存,危及人民生活与健康。水体环境中重金属离子浓度的检测无论是对环境安全还是人类健康都有着十分重要的意义。本论文综合利用纳米技术和有机合成技术,以纳米多孔硅(PS)材料作为研究对象,运用其光致发光(PL)特性及可调控的化学性状,将对重金属离子具有特异性螯合能力的有机功能基团修饰到多孔硅表面,以实现多孔硅基荧光传感器、多孔 […]