【摘要】本论文主要通过研究激光作用下GaN的温度场分布情况来研究如何提高激光剥离效率。结合一维热传导模型和GaN受热分解过程在理论上分析了激光剥离时GaN的温度场分布情况以及影响激光剥离效率的参数,并利用COMSOL软件建立二维模型分析了激光作用下GaN的温度场分布,以此为指导设计实验,细致地研究了不同条件下的激光剥离情况。所获得的的主要成果如下：(1)通过分析一维热传导模型和GaN分解的热力学过 […]

【摘要】空间技术的不断发展，对电子器件的可靠性提出了更高的要求。AlGaN/GaNHEMT器件在高频、大功率、高温和高压应用方面具有超强的优势，结合GaN材料出色的抗辐照特性，该器件在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中有很大的应用前景。虽然理论和已有的部分实验结果已经表明了GaN材料具有出色的抗辐照特性，但是实际情况下，由于异质外延生长的GaN材料总是存在高密度的缺陷，而且GaNHEMT器件采用 […]

【摘要】以ZnO、ZnSe和ZnTe为代表的Ⅱ-Ⅵ化合物半导体和以GaN材料为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料(包括AlN、GaN、InN及其合金)在光电器件的应用上获得了快速的发展。Ⅲ-Ⅴ族氮化物具有优良的光电性质,稳定的化学性质,使其可在高温、酸碱、辐射环境下使用。它们都是直接带隙材料且带隙跨越很大,可从InN的0.7eV到AlN的6.28eV,在蓝、绿光和紫外波段的光电子器件方面应用广泛。Zn […]

【摘要】本文主要介绍一种新型的改善GaN材料p型欧姆接触特性的方法,即采用电子束蒸发技术在InGaN层上沉积一层ITO薄膜,然后通过感应耦合等离子体技术(ICP)对ITO进行轰击。通过XPS测试分析可知,ICP轰击ITO过程中,ITO中的In原子扩散至p-GaN层。通过在p-GaN上方制作欧姆接触并进行I-V测试,结果表明In掺杂后样品p型欧姆接触特性得到改善。 【作者】曾勇平；张保平；应磊莹； […]

【摘要】纤锌矿结构的ZnO是一种直接带隙宽禁带（室温下Eg=3.37eV）半导体材料，激子束缚能高达60meV。因此，用ZnO制备的发光二极管（LED）适合在高温、恶劣的环境下工作并获得高效、稳定的发光。半导体p-n结是发光器件的核心部件，被称为LED的芯片。对于ZnO来说，复杂的制备技术、缺乏理想的掺杂受主等因素导致人们仍未制备出高质量的p-ZnO，这严重阻碍了ZnO同质p-n结器件的发展。为此 […]