【摘要】氧化锌（ZnO）是一种直接帶隙宽禁带半导体材料，在室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，在短波长光电子器件和光探测器等领域有着极为广泛的应用前景。为了实现ZnO器件与Si芯片工艺的集成，人们广泛关注于Si衬底上ZnO的生长。但是因为ZnO和Si衬底的晶体类型差异与晶格常数差异，制备高质量ZnO/Si薄膜一直是个难题。而且，自ZnO纳米线的紫外光泵浦激射被报道以来，合成不同 […]

【摘要】宽带隙半导体是现代短波长光电子技术发展的材料基础之一。对宽带隙半导体薄膜材料的制备研究和器件开发具有重要的应用价值。近十多年来，MgO-ZnO准二元合金系统得到人们越来越多的关注。该材料具有非常宽的光学带隙调制跨度（从ZnO的3.37eV到MgO的7.8eV），相应光波长从380nm到160nm。然而，由于常态下ZnO和MgO倾向于不同的配位结构（ZnO是四配位的纤锌矿结构，MgO是六配位 […]

【摘要】III族氮化物半导体材料以其优异的特性正在发挥着越来越广泛的作用。以GaN基蓝光、绿光及深紫外LED为核心技术的半导体照明技术正在引领着一场新的产业革命。经过近十几年的发展,GaN基蓝光LED已成功实现商业化,在景观灯、背光源、照明灯领域都得到广泛应用。GaN基微波功率器件也逐渐进入商业应用。随着III族氮化物器件研究和应用的深入,GaN基光电子器件和微波功率器件都对材料性能提出了更高的要 […]