【摘要】氧化锌（ZnO）是一种直接帶隙宽禁带半导体材料，在室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，在短波长光电子器件和光探测器等领域有着极为广泛的应用前景。为了实现ZnO器件与Si芯片工艺的集成，人们广泛关注于Si衬底上ZnO的生长。但是因为ZnO和Si衬底的晶体类型差异与晶格常数差异，制备高质量ZnO/Si薄膜一直是个难题。而且，自ZnO纳米线的紫外光泵浦激射被报道以来，合成不同 […]

【摘要】宽带隙半导体是现代短波长光电子技术发展的材料基础之一。对宽带隙半导体薄膜材料的制备研究和器件开发具有重要的应用价值。近十多年来，MgO-ZnO准二元合金系统得到人们越来越多的关注。该材料具有非常宽的光学带隙调制跨度（从ZnO的3.37eV到MgO的7.8eV），相应光波长从380nm到160nm。然而，由于常态下ZnO和MgO倾向于不同的配位结构（ZnO是四配位的纤锌矿结构，MgO是六配位 […]