【摘要】宽带隙半导体是现代短波长光电子技术发展的材料基础之一。对宽带隙半导体薄膜材料的制备研究和器件开发具有重要的应用价值。近十多年来，MgO-ZnO准二元合金系统得到人们越来越多的关注。该材料具有非常宽的光学带隙调制跨度（从ZnO的3.37eV到MgO的7.8eV），相应光波长从380nm到160nm。然而，由于常态下ZnO和MgO倾向于不同的配位结构（ZnO是四配位的纤锌矿结构，MgO是六配位 […]

【摘要】当高分子受限在纳米尺度时,其玻璃化转变温度,结晶行为以及很多其他的物理性质与本体存在很大的差别。从分子内部结构层面探索导致该行为差异的根本原因是必要的。同时,怎样巧妙合理的利用该受限态物理行为也是我们需要思考的。首先,我们利用荧光无辐射能量转移法(NRET)研究了受限态主要影响因素之一的尺寸效应对一维受限态高分子薄膜中分子链结构影响。我们发现在平面高分子超薄膜中,尺寸受限效应迫使高分子链在 […]