【摘要】氧化锌（ZnO）是一种直接帶隙宽禁带半导体材料，在室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，在短波长光电子器件和光探测器等领域有着极为广泛的应用前景。为了实现ZnO器件与Si芯片工艺的集成，人们广泛关注于Si衬底上ZnO的生长。但是因为ZnO和Si衬底的晶体类型差异与晶格常数差异，制备高质量ZnO/Si薄膜一直是个难题。而且，自ZnO纳米线的紫外光泵浦激射被报道以来，合成不同 […]