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ZnO纳米晶的表面改性及其紫外光电导性能的研究 01月14日

【摘要】ZnO是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,因其具有很多特性,有望成为新一代光电材料。本文利用热注入法合成分散性良好的ZnO纳米晶,并通过不同的方法对纳米晶的表面进行改性。制备了ZnO纳米晶薄膜并测试了其紫外光电导性能,来探讨ZnO纳米晶表面改性的效果。主要研究内容如下:1、利用正丁胺配体交换ZnO纳米晶表面原有的硬脂酸根配体,FTIR表明正丁胺可以有效地取代硬脂酸根,UV表明交换前后的ZnO […]

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射频磁控溅射法制备环形器用YIG薄膜 10月19日

【摘要】环形器是一种广泛的应用于微波通信中的器件。随着微波通信系统的快速发展,制备出轻量化、小型化、高性能及低成本的环形器是环形器发展的必然趋势。采用铁氧体薄膜制备的微带薄膜环形器能满足这一要求,因此世界各国的研究人员进行了广泛的研究。作为具有亚铁磁性的铁氧体材料的代表,石榴石结构的铁氧体材料(Y3Fe5O12)具有较窄的铁磁共振线宽、较高的电阻率、较小的高频损耗和较好的旋磁效应等优点,常被用作制 […]

硒化锡纳米晶可控制备及其薄膜性质研究 08月31日

【摘要】硒化锡(SnSe)是一种重要的Ⅳ-Ⅵ族窄带隙p型半导体材料,其体相材料的直接带隙大小为1.3eV,间接带隙大小为0.9eV,在太阳能电池的最优带隙值区间内(1-1.5eV),其吸收系数可达约104cm-1,是潜在的薄膜太阳能电池的吸收层材料。本论文中采用了热注入的方法,通过使用毒性较低的无机化合物反应前驱体并控制反应条件获得了形貌不同,结构不同的硒化锡纳米颗粒和纳米棒。制备的SnSe纳米晶 […]

Sr_3Co_2Fe_(24)O_(41)六角铁氧体化学态、电学和磁学性能研究 08月02日

【摘要】C02Z型六角铁氧体Sr3Co2Fe2404i具有高起始磁导率、高共振频率、较好的热稳定性和低损耗等优异的软磁性能。因此,在高频微波段电子器件中具有广泛的应用前景。近年来,在Z型六角铁氧体SnCo2Fe24041中发现的室温低场巨磁电耦合效应,使得该材料进一步成为磁电传感器、低功耗逻辑器件、信息存储领域的热门研究材料。但是目前已报道的对该材料化学态、交流电学性质和掺杂改性方面的研宄还很少。 […]

电化学聚合薄膜生长过程的凝聚态结构研究 10月30日

【摘要】高分子凝聚态物理是一直是高分子科学的研究热点,而受限态薄膜的凝聚态研究也是重中之重。随着纳米技术走进人们的视野,高分子在纳米尺度空间的运用越来越广泛,高分子在受限空间内的状态,尤其是纳米薄膜的凝聚态结构研究更是充满意义。高分子凝聚态问题通常研究的是经典意义上的高分子,即重复单元首尾相连、组成线性长链结构的聚合物,但对于多反应官能度、无规支化形成网状结构的高分子研究较少。本论文通过电化学聚合 […]

ATO/SiO_2-TiO_2复合隔热膜的制备及其性能研究 10月30日

【摘要】随着非可再生能源的日益枯竭,节能越来越受到全世界的关注。在我国,建筑能耗逐年上升,已占全国总能耗的32%。为了减少能源的消耗,低能耗、低排放、低污染的低碳经济模式已在我国实施,而建筑节能是低碳经济模式的重要组成部分。门窗作为建筑物的主题,能源损失比高达51%,可以通过提高窗户的隔热保温效果来降低建筑能耗,而门窗的隔热效果主要由玻璃实现,目前我国的节能玻璃主要有中空玻璃、真空玻璃、Low-E […]

碳化硅纳米线薄膜的制备及其性能研究 03月22日

【摘要】碳化硅(SiC)具有宽禁带、高硬度、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率、强抗氧化性和化学稳定性等优异性能。一维SiC纳米材料除保留其本征性质外,还由于纳米尺寸效应、特定的形貌和内在的特殊晶体结构及缺陷,在力学、电学和光学等方面展现出更多特异性能。SiC纳米线薄膜作为一维SiC纳米材料的宏观体结构,在高温分离过滤膜、光电催化分解水制氢、催化剂载体、高温传感器、纳米复合材料以及新型纳米光电器件 […]

MOCVD法制备ZnO的成核与生长研究 07月19日

【摘要】氧化锌(ZnO)是一种直接帶隙宽禁带半导体材料,在室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,在短波长光电子器件和光探测器等领域有着极为广泛的应用前景。为了实现ZnO器件与Si芯片工艺的集成,人们广泛关注于Si衬底上ZnO的生长。但是因为ZnO和Si衬底的晶体类型差异与晶格常数差异,制备高质量ZnO/Si薄膜一直是个难题。而且,自ZnO纳米线的紫外光泵浦激射被报道以来,合成不同 […]

色素增感薄膜太阳能电池电极研究 06月29日

【摘要】柔性色素增感太阳能电池是以高分子透明导电薄膜为基底材料的新型电池,其主要特点是成本相对较低、原料无污染、应用范围广泛,适应机械化、滚筒式生产。多孔TiO2薄膜是目前应用最为广泛的电极材料,这是因为锐钛矿型TiO2是良好的半导体,禁带宽度为3.2eV,但因为吸收范围位于紫外区,需要增感色素才能吸收可见光区的能量。ZnO薄膜也属于宽禁带半导体材料,因此成为最有希望取代TiO2的半导体材料。正是 […]

HfO_2光学薄膜激光预处理及其机理研究 11月14日

【摘要】光学薄膜是激光系统中不可或缺的元件,但在强激光作用下薄膜本身极其脆弱极易发生损伤。为了解决这种矛盾性,必须提高薄膜的抗激光损伤能力。目前提高薄膜损伤阈值的激光预处理方式是国内外研究的热点。但是预处理机理复杂,不同条件下制备的薄膜其预处理机理不一样,研究预处理机理对提高薄膜阈值具有重要意义。Hf02材料具有熔点高、硬度高、热稳定性和化学稳定性好、透光范围宽的特点,重要的是Hf02在高折射率材 […]