【摘要】随着半导体技术的不断发展,SiMOSFET器件的小型化日益接近其物理极限,而具有高迁移率的Ge材料和HfO2等高κ介质由于其在未来MOSFET技术中的应用前景得到研究者的广泛关注。各种新结构GeMOSFET器件中,肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)因为在源漏浅结的制造、源漏接触电阻的降低、制备温度的降低和制备工艺的简化等方面具有优势而成为了研究的热点。本文首先通过仿真模拟分析了S […]

【摘要】锗,因具有较高载流子迁移率、窄带隙、与硅的CMOS(complementarymetal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺兼容等优势,在硅基光源、硅基光电探测器等方面有重要的应用。而随着信息化程度的不断提高,单片高密度光电集成是今后硅光子学的一个重要发展方向。硅基锗金属-半导体-金属(metal-semicondctor-metal,MSM)光电探测器,其结构简单易于 […]

【摘要】铁酸铋BiFeO3作为一种典型的单相多铁性材料,近年来受到广泛关注。它在室温下同时具有铁电性和反铁磁性,而且铁酸铋又是一种窄带隙半导体,能充分吸收可见光,具有良好的光电性能。如此特殊的性能使得其在动态随机存储器、微电路、自旋电子器件以及传感器等方面有着广阔的应用前景。本论文中研究BiFeO3/γ-Fe2O3颗粒膜的结构及其光电性能,主要内容如下：(1)采用射频磁控溅射共溅射的方法在单晶n型 […]