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L-MBE法制备β-Ga_2O_3薄膜及其掺杂和光敏特性的研究 10月30日

【摘要】随着科学技术的发展,透明导电氧化物薄膜在平面显示、发光二极管、太阳能透明电极等领域的应用引起了越来越多的人的关注。而具有直接带隙的宽禁带半导体Ga2O3以其较高的禁带宽度,优良的紫外透过性能成为继ZnO之后的又一个研究热点。本文采用了激光分子束外延的方法在单晶的Al2O3(0001)衬底上制备了β-Ga2O3薄膜,同时从理论和实验两个方面对β-Ga2O3的掺杂问题进行了初步的探讨,在研究薄 […]

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硅基锗金属—半导体—金属光电探测器的性能优化与设计研究 10月24日

【摘要】锗,因具有较高载流子迁移率、窄带隙、与硅的CMOS(complementarymetal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺兼容等优势,在硅基光源、硅基光电探测器等方面有重要的应用。而随着信息化程度的不断提高,单片高密度光电集成是今后硅光子学的一个重要发展方向。硅基锗金属-半导体-金属(metal-semicondctor-metal,MSM)光电探测器,其结构简单易于 […]

大面积超长有机微米线阵列的制备及其在光电探测器上的应用研究 03月09日

【摘要】最近,有机小分子材料由于其在分子设计和性能调控方面相对无机材料具有更大灵活性和多样性,而受到广泛关注。常规方法制备得到的一维纳米结构倾向于以宏观无序的形式分布于溶液中或者基底上,使对其电学、光电性能研究停留在单个器件的阶段,严重阻碍了其集成化应用。大面积超长微纳米线阵列的实现,可以使我们不用烦恼单根一维纳米结构的位置和对齐准确性,而是将其看做是均匀的二维薄膜,并使用目前成熟的薄膜器件工艺, […]

微分散射测量技术研究 11月11日

【摘要】本课题是以微弱光电信号检测原理、微分散射测量理论作为理论指导,理论上分析得到样品表面粗糙度和散射之间的关系。通过光电探测器对半球面内样品表面任一方向的散射光的探测,可以得到关于该点空间散射量的分布情况,进而得到样品质量的相关信息。这里为了提高该系统的测量范围在强光情况下选择PIN光电二极管与APD雪崩光电二极管,在弱光情况下选择PMT光电倍增管。本课题主要研究光源固定入射的情况下,该微分散 […]

金属氧化物(氢氧化物)纳米结构材料的制备及其在光电探测器和超级电容器中的应用 02月10日

【摘要】过渡金属d轨道的不饱和性,赋予了金属氧化物(氢氧化物)一些独特的性质,使得金属氧化物(氢氧化物)纳米结构材料在生物传感器、气体传感器、智能窗、太阳能电池、超级电容器、光电探测器、发光二极管等领域存在广泛应用。其中又以光电探测器和超级电容器这两个领域尤为突出。目前,应用于这两个领域的金属氧化物纳米结构材料的形态和种类正呈现出快速增长的态势。当前的研究趋势无外乎开发和研究具有新形态和更高性能的 […]