【摘要】锗,因具有较高载流子迁移率、窄带隙、与硅的CMOS(complementarymetal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺兼容等优势,在硅基光源、硅基光电探测器等方面有重要的应用。而随着信息化程度的不断提高,单片高密度光电集成是今后硅光子学的一个重要发展方向。硅基锗金属-半导体-金属(metal-semicondctor-metal,MSM)光电探测器,其结构简单易于 […]