【摘要】随着半导体技术的不断发展,SiMOSFET器件的小型化日益接近其物理极限,而具有高迁移率的Ge材料和HfO2等高κ介质由于其在未来MOSFET技术中的应用前景得到研究者的广泛关注。各种新结构GeMOSFET器件中,肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)因为在源漏浅结的制造、源漏接触电阻的降低、制备温度的降低和制备工艺的简化等方面具有优势而成为了研究的热点。本文首先通过仿真模拟分析了S […]