【摘要】随着集成电路更小型化、更高带宽和更低功耗的要求加速,三维集成电路作为传统的晶体管尺寸下降的补充,能够使得设计者将多层芯片垂直堆叠,或者在硅中阶层上进行并列的“2.5D”配置,达到更高的集成度。三维集成电路通过硅通孔技术和传统的倒装芯片封装有可能超越摩尔定律的发展。硅通孔会穿透硅片,提供垂直方向的电气连接,一般采用铜进行填充。与引线键合的系统级封装相比,硅通孔能够大量减少电阻、电感和电容的寄 […]

【摘要】过去的几十年里，微电子器件尺寸按照摩尔定律持续减小，电子产品性能得到空前提高。但是在半导体制作工艺尺寸缩小到深亚微米量级后，工艺技术逐渐达到物理极限，量子效应、短沟道效应等小尺寸效应越来越凸显，成为摩尔定律继续发展的瓶颈。三维集成电路（Three-DimensionalIntegratedCircuit,3DIC）不再一味追求小尺寸，而是采用三维堆叠的方式来提高系统集成度，通过硅通孔（Th […]

【摘要】随着集成电路进入纳米时代，芯片的特征尺寸不断减小而集成度持续上升，片上晶体管数目的增加大大提高了芯片的复杂度，连接芯片内部功能块的互连线结构也变的复杂，集成电路的设计重心由原来器件为主逐步向互连线上转移。集成电路的互连结构目前已经达到13层，加上低k低热导率介质材料的引入，导致互连线的热耗散路径变长、难度增大。互连线自身产生的焦耳热无疑升高了互连温度，而受温度影响的互连电阻的改变使得现有的 […]