【摘要】随着集成电路更小型化、更高带宽和更低功耗的要求加速,三维集成电路作为传统的晶体管尺寸下降的补充,能够使得设计者将多层芯片垂直堆叠,或者在硅中阶层上进行并列的“2.5D”配置,达到更高的集成度。三维集成电路通过硅通孔技术和传统的倒装芯片封装有可能超越摩尔定律的发展。硅通孔会穿透硅片,提供垂直方向的电气连接,一般采用铜进行填充。与引线键合的系统级封装相比,硅通孔能够大量减少电阻、电感和电容的寄 […]