基于硅通孔(TSV)的三维集成电路(3D IC)关键特性分析

基于硅通孔(TSV)的三维集成电路(3D IC)关键特性分析

作者:师大云端图书馆 时间:2015-10-05 分类:参考文献 喜欢:3257
师大云端图书馆

【摘要】过去的几十年里,微电子器件尺寸按照摩尔定律持续减小,电子产品性能得到空前提高。但是在半导体制作工艺尺寸缩小到深亚微米量级后,工艺技术逐渐达到物理极限,量子效应、短沟道效应等小尺寸效应越来越凸显,成为摩尔定律继续发展的瓶颈。三维集成电路(Three-DimensionalIntegratedCircuit,3DIC)不再一味追求小尺寸,而是采用三维堆叠的方式来提高系统集成度,通过硅通孔(Through-Silicon-Via,TSV)实现层间垂直互连,有效缩短了互连线长度,并且可以实现异构集成,成为业界公认使摩尔定律持续有效的有力保证。本文针对基于TSV互连的3DIC进行了系统的研究,所取得的主要成果为:1、提出了考虑MOS效应的锥型TSV寄生电容解析模型,并研究了其电容特性。首先,介绍了圆柱型TSV、锥型TSV、环型TSV和同轴TSV的寄生参数提取模型。然后通过求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型TSV寄生电容解析模型,并对比了该解析模型与3D电磁寄生参数提取工具AnsoftQ3D的提取模型,结果表明,在偏置电压为-0.4V、0.5V和1V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°、80°、85°和90°四种情况,多个参数变化时解析模型最大均方根误差分别为6.12%、4.37%、3.34%和4.84%,忽略MOS效应时,最大均方根误差分别达到210.42%、214.81%、214.52%和211.47%,验证了该解析模型的准确性和考虑MOS效应的必要性。最后,采用3D全波电磁场仿真软件ANSYS’HFSS研究了锥型TSV的散射参数,结果表明,考虑MOS效应以后散射系数(S11)的最大减幅大约为19dB,锥型TSV的传输性能得到改善。2、提出了环型和同轴TSV热应力和热应变的解析模型,并研究了其热机械性能。首先,基于准3DKane-Mindlin理论提出了环型TSV和同轴TSV热应力和热应变的解析模型,并针对多种填充金属和介质材料,采用有限元方法(FiniteElementMethod,FEM)进行验证,结果表明误差分别小于6.8%。然后,根据解析模型,分别针对pMOS和nMOS器件估算了热机械性能的重要表征参数——阻止区(Keep-Out-Zone,KOZ)。结果表明,1)pMOS器件对热应力比nMOS敏感:当采用除W以外的金属材料时,对于环型TSV,pMOS器件的KOZ比nMOS大2~3μm左右;对于同轴TSV,pMOS器件的KOZ比nMOS大6~7μm左右。2)W填充的TSV热失配最小,没有产生KOZ;Al和Cu填充的TSV热机械性能相差不大:Al或Cu填充的环型TSV引入的热应力与晶体管沟道平行时,pMOS器件的KOZ大约为5.6μm,垂直时大约为2.5μm,对于Al或Cu填充的同轴TSV,分别大约为12.2μm和7.2μm;BCB作为介质材料时,TSV的热机械性能最差,KOZ最大达到12.9μm。3)对于最常用材料Cu和SiO2填充的同轴TSV,内侧金属半径从3μm增加到7μm时,同轴TSV边缘的热应力增加了342MPa;外侧金属环厚度从1μm增加到5μm时,同轴TSV边缘的热应力增加了582MPa(245%);介质厚度从1μm增加到5μm时,同轴TSV边缘的热应力只增加了大约60MPa;TSV高度增加对热应力几乎没有影响。3、提出一种新的TSV结构——双环TSV,并研究了该结构的热机械性能和电传输性能。首先,对比了双环TSV和同轴TSV的热应力所导致的KOZ及等效面积(TSV与其引入的KOZ所占的总面积),结果表明,当采用Cu和SiO2作为金属和介质材料时,与同轴TSV相比,双环TSV的KOZ减小了88.9%,等效面积减小了22.6%。然后,提出了双环TSV在硅中引入热应力的解析模型,与FEM结果相比,平均相对误差小于~6.7%。最后,采用ANSYS’HFSS软件仿真,验证了该结构具有与同轴TSV同样优越的传输系数(S21),相比圆柱型和环型TSV,S21在20GHz时最大可提高93%。证明了这种结构在保证了与同轴TSV同样优越的电传输性能的同时,减小了所引入的热应力和KOZ,提高了热机械性能。4、提出了考虑TSV的3DIC最高层芯片温度解析模型,并研究了其温度特性。由于3DIC将多层芯片堆叠在一起,导致热密度过高,尤其是距离热沉最远的最高层芯片,散热性能最差。针对圆柱型TSV,通过引入TSV面积比例因子r,提出了考虑TSV的3DIC最高层芯片温度解析模型。通过Matlab分析,结果表明,随着芯片层数的增加,最高层芯片温度几乎线性增加。对于8层的三维集成电路,1)相对于未考虑TSV散热作用的情况,当r为0.0001时,最高层芯片温度下降了6K,当r=0.001时,温度下降了35K,当r=0.01时,下降了67K;2)综合考虑温度和TSV所占的面积,得出硅通孔面积比例因子的最佳范围r为0.5%~1%。5、以3D单芯片多处理器(Chip-Multiprocessors,CMP)为例,研究了多核3DIC的温度特性。首先,给出2层4核3DCMP热阻矩阵的表达式,然后,基于热阻矩阵研究了输入阶跃热流时的瞬态温度特性,通过Matlab软件分析了热容、热阻和功耗对温度的影响。结果表明,1)上层芯片的稳态温度比下层芯片高约5K;2)热容的增大会导致3DCMP温度上升时间的变长,并不会影响其最终稳态温度;3)核功耗每增加5W,上层和下层芯片的稳态温度分别增加15K和14K;4)热阻每增加典型值的1/2倍,上层和下层芯片的稳态温度分别增加37K和35K。
【作者】王凤娟;
【导师】杨银堂;
【作者基本信息】西安电子科技大学,微电子学与固体电子学,2014,博士
【关键词】三维集成电路;硅通孔;寄生电容模型;热机械性能;热管理;

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