【摘要】锗,因具有较高载流子迁移率、窄带隙、与硅的CMOS(complementarymetal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺兼容等优势,在硅基光源、硅基光电探测器等方面有重要的应用。而随着信息化程度的不断提高,单片高密度光电集成是今后硅光子学的一个重要发展方向。硅基锗金属-半导体-金属(metal-semicondctor-metal,MSM)光电探测器,其结构简单易于 […]

【摘要】表面等离子体是金属表面的自由电子和入射光波之间相互作用而形成的一种电磁波。虽然科学家对表面等离子体的研究已有100多年的历史。但是早期由于受工艺水平的限制，微纳尺寸的电子元件难以制备，因而表面等离子体显现不出它独特的性质，不为人们所重视。而现如今，随着科技的迅猛发展，特别是微米和纳米尺度的电子元件和回路的制作技术日臻成熟所以表面等离子体又重新得到人们的关注。表面等离子体具有近场增强的特性， […]