【摘要】半导体工业中，离子注入技术作为一种新型的掺杂技术，克服了传统热扩散掺杂技术的缺点，具有高精度的剂量均匀性、加工温度低，重复性好等优点，已在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。为了控制和提高离子注入后半导体的质量，需要对注入离子剂量、离子能量、注入深度等工艺参数与半导体的电子输运参数（如载流子寿命和电扩散系数）的关系进行检测和监控。传统测量电子输运参数的方法主要有开路电压衰减法（OCVD） […]

【摘要】钛及钛合金作为常用的人工替代材料被广泛的应用于临床外科及牙科。虽然已有很多研究表面钛本身具有良好的机械性能、表面特性及生物相容性[1]，然而未经处理的钛作为一种生物惰性材料并不具有生物活性，易被细菌感染，同时也无法获得抗菌性能。据研究表明，牙种植体周围细菌感染所致的种植体周围炎，最终将导致种植体与周围骨组织结合界面丧失，种植体松动、脱落[2,3]。将钛种植体表面改性使其具有良好的生物相容性 […]

【摘要】立方氮化硼(cBN)具有极高的热导率，能实现N型和P型掺杂，以及高介电强度、优异的热稳定性和化学稳定性等许多优秀性质，在高温、高功率电子器件和深紫外光电器件领域具有重要的应用前景。cBN的禁带宽度高达6.4eV，是III-V族化合物中最大的，其电阻率非常大，通常在109cm以上，需要用掺杂的手段加以改善。目前cBN的掺杂主要以原位掺杂手段为主，其他方法较少。但是原位掺杂工艺通常用于实验室研 […]