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立方氮化硼晶体掺杂工艺及特性研究 03月22日

【摘要】立方氮化硼(cBN)具有极高的热导率,能实现N型和P型掺杂,以及高介电强度、优异的热稳定性和化学稳定性等许多优秀性质,在高温、高功率电子器件和深紫外光电器件领域具有重要的应用前景。cBN的禁带宽度高达6.4eV,是III-V族化合物中最大的,其电阻率非常大,通常在109cm以上,需要用掺杂的手段加以改善。目前cBN的掺杂主要以原位掺杂手段为主,其他方法较少。但是原位掺杂工艺通常用于实验室研 […]

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YVO_4:Eu~(3+)@YVO_4核壳结构纳米发光材料中Eu~(3+)热扩散的研究 05月25日

【摘要】摘要:长期以来,人们采用表面修饰的方法来削弱表面效应、提升纳米材料的发光效率,而在众多的表面修饰方法中,核壳结构是一种十分有效的方法。壳层的包覆可以提供一个保护层,将发光中心与外界的环境隔绝开来,阻断发光中心与表面猝灭中心的能量传递途径,从而有效的降低表面猝灭的程度,提升材料的发光效率。大量的研究工作围绕着壳层厚度的优化而展开,在这个过程中,人们发现了核壳结构纳米材料中的离子扩散现象。如果 […]