【摘要】立方氮化硼(cBN)具有极高的热导率，能实现N型和P型掺杂，以及高介电强度、优异的热稳定性和化学稳定性等许多优秀性质，在高温、高功率电子器件和深紫外光电器件领域具有重要的应用前景。cBN的禁带宽度高达6.4eV，是III-V族化合物中最大的，其电阻率非常大，通常在109cm以上，需要用掺杂的手段加以改善。目前cBN的掺杂主要以原位掺杂手段为主，其他方法较少。但是原位掺杂工艺通常用于实验室研 […]