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基于光载流子辐射的离子注入半导体电输运参数深度轮廓重建技术 03月21日

【摘要】半导体工业中,离子注入技术作为一种新型的掺杂技术,克服了传统热扩散掺杂技术的缺点,具有高精度的剂量均匀性、加工温度低,重复性好等优点,已在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。为了控制和提高离子注入后半导体的质量,需要对注入离子剂量、离子能量、注入深度等工艺参数与半导体的电子输运参数(如载流子寿命和电扩散系数)的关系进行检测和监控。传统测量电子输运参数的方法主要有开路电压衰减法(OCVD) […]