【摘要】随着科学技术的发展，透明导电氧化物薄膜在平面显示、发光二极管、太阳能透明电极等领域的应用引起了越来越多的人的关注。而具有直接带隙的宽禁带半导体Ga2O3以其较高的禁带宽度，优良的紫外透过性能成为继ZnO之后的又一个研究热点。本文采用了激光分子束外延的方法在单晶的Al2O3(0001)衬底上制备了β-Ga2O3薄膜，同时从理论和实验两个方面对β-Ga2O3的掺杂问题进行了初步的探讨，在研究薄 […]

【摘要】锗,因具有较高载流子迁移率、窄带隙、与硅的CMOS(complementarymetal-oxide-semiconductor,CMOS)工艺兼容等优势,在硅基光源、硅基光电探测器等方面有重要的应用。而随着信息化程度的不断提高,单片高密度光电集成是今后硅光子学的一个重要发展方向。硅基锗金属-半导体-金属(metal-semicondctor-metal,MSM)光电探测器,其结构简单易于 […]

【摘要】最近，有机小分子材料由于其在分子设计和性能调控方面相对无机材料具有更大灵活性和多样性，而受到广泛关注。常规方法制备得到的一维纳米结构倾向于以宏观无序的形式分布于溶液中或者基底上，使对其电学、光电性能研究停留在单个器件的阶段，严重阻碍了其集成化应用。大面积超长微纳米线阵列的实现，可以使我们不用烦恼单根一维纳米结构的位置和对齐准确性，而是将其看做是均匀的二维薄膜，并使用目前成熟的薄膜器件工艺， […]