【摘要】随着科学技术的发展，透明导电氧化物薄膜在平面显示、发光二极管、太阳能透明电极等领域的应用引起了越来越多的人的关注。而具有直接带隙的宽禁带半导体Ga2O3以其较高的禁带宽度，优良的紫外透过性能成为继ZnO之后的又一个研究热点。本文采用了激光分子束外延的方法在单晶的Al2O3(0001)衬底上制备了β-Ga2O3薄膜，同时从理论和实验两个方面对β-Ga2O3的掺杂问题进行了初步的探讨，在研究薄 […]