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ZnO:Al薄膜的湿化学法制备与取向生长研究 01月22日

【摘要】透明导电氧化物薄膜因其具有高透过率与低电阻率,在光电领域被广泛地应用,尤其在薄膜太阳能电池窗口材料与平板显示透明电极方面。目前,使用最广泛且发展最好的是氧化铟锡薄膜,但因铟资源稀缺、薄膜稳定性不佳等缺点制约了该类薄膜在光电产业的继续发展。氧化锌属于宽禁带半导体材料,且锌资源丰富,对其进行有效掺杂可同时实现透光性与导电性,是非常具有发展前景的一种透明导电薄膜。通过物理技术可制备性能优异的铝掺 […]

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p型方钴矿基热电材料的混合稀土填充及性能优化 01月14日

【摘要】热电材料是一种能够实现热能和电能之间直接转换的功能材料,理想的热电材料不仅应有较高的热电优值ZT值,还应环境友好和成本低廉。填充方钴矿化合物是一种新型的中温区热电材料,具有良好的导电性能,同时又具有较低的热导率,被认为是一种典型的“电子晶体-声子玻璃”材料。生产应用的热电器件需要同一基体材料的n型和p型组合在一起以达到热电转换的最高效率。但是,目前p型填充方钴矿材料的热电性能由于重带对功率 […]

ZnFe_2O_4(Zn_2SnO_4)/石墨烯复合负极材料制备表征及掺杂提高磷酸铁锂低温性能 01月09日

【摘要】面对动力电池行业对高性能电池日益增长的需求,我们必须提高现有电池材料性能并着手研发新的电池材料体系。在负极材料领域,与传统的碳负极材料相比,过渡金属氧化物(TMO)因其充放电过程中的反应特性而具有更高的比容量,例如氧化锌,氧化锡,氧化铁等,除了这些简单的氧化物,很多有AB204(或A2B04)结构的复杂氧化物作为锂离子电池负极材料也很有前途,但是这些复杂氧化物在与锂的嵌入/脱出过程当中由于 […]

掺杂羟基磷灰石的合成及其结构与吸附性能的表征 12月10日

【摘要】本文采用溶胶-凝胶法,分别以四水硝酸钙为钙源、磷酸为磷源、碳酸氢铵为碳源、六水硝酸镁为镁源,成功合成了无掺杂羟基磷灰石(HAP)、碳掺杂羟基磷灰石(CHAP)和镁掺杂羟基磷灰石(MgHAP)。以溶液pH值、前驱体煅烧温度及掺杂离子摩尔比为研究参数,探讨了合成羟基磷灰石的最优化条件。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、红外光谱(FTIR)、BET比表面积仪等手段,对所合成的羟基磷灰 […]

Cr掺杂NiAs型与Zinc-Blend型MnTe的第一性原理研究 04月13日

【摘要】因为MnTe和CrTe均为过渡族磁性金属材料,晶格结构极为相似,且其居里温度在室温附近,所以化合物Mn1-xCrxTe的实用价值极高。在自旋电子学中的巨磁电阻效应和隧穿磁电阻效应等理论基础的指导下,实验中已经制备出Mn1-xCrxTe磁性金属薄膜,可以用来组建自旋阀、磁头等量子元件,应用到磁性存储设备和光电设备中,有非易失性、高速、低能耗、集成度高、色彩鲜艳等优势。以密度泛函理论为基础,运 […]

Sr_3Co_2Fe_(24)O_(41)六角铁氧体化学态、电学和磁学性能研究 08月02日

【摘要】C02Z型六角铁氧体Sr3Co2Fe2404i具有高起始磁导率、高共振频率、较好的热稳定性和低损耗等优异的软磁性能。因此,在高频微波段电子器件中具有广泛的应用前景。近年来,在Z型六角铁氧体SnCo2Fe24041中发现的室温低场巨磁电耦合效应,使得该材料进一步成为磁电传感器、低功耗逻辑器件、信息存储领域的热门研究材料。但是目前已报道的对该材料化学态、交流电学性质和掺杂改性方面的研宄还很少。 […]

锯齿型硅烯纳米带的自旋输运性质 08月02日

【摘要】本文运用基于第一性原理的密度泛函理论以及非平衡格林函数方法研究了完美和边缘替代掺杂锯齿型硅烯纳米带(ZigzagSiliceneNanoribbons,ZSiNRs)的自旋输运性质。我们用AtomistixToolKits(ATK)软件将所有结构优化到受力小于0.02eV/A,并在此基础上研究了改变两电极磁化排列方向和在中心散射区掺杂Ⅲ、Ⅴ主族原子对ZSiNRs自旋输运性质的影响。依据两边 […]

锂离子电池正极材料LiMnPO_4的合成及其改性研究 05月27日

【摘要】橄榄石型磷酸锰锂具有原料丰富、价格低廉、结构稳定、能量密度高和循环稳定性好等优点,理论容量为170mAhg-1,相对于Li+/Li的电极电势为4.1V,理论能量密度是LiFePO4(3.45V)的1.2倍,因此,LiMnPO4是具有很大应用前景的锂离子电池正极材料之一。然而,LiMnPO4固有的低电子和离子电导率在很大程度上影响了材料电化学性能的发挥,限制了其商业化应用进程。为了改善材料的 […]

L-MBE法制备β-Ga_2O_3薄膜及其掺杂和光敏特性的研究 10月30日

【摘要】随着科学技术的发展,透明导电氧化物薄膜在平面显示、发光二极管、太阳能透明电极等领域的应用引起了越来越多的人的关注。而具有直接带隙的宽禁带半导体Ga2O3以其较高的禁带宽度,优良的紫外透过性能成为继ZnO之后的又一个研究热点。本文采用了激光分子束外延的方法在单晶的Al2O3(0001)衬底上制备了β-Ga2O3薄膜,同时从理论和实验两个方面对β-Ga2O3的掺杂问题进行了初步的探讨,在研究薄 […]

锗酸镧基陶瓷电解质的制备与表征 10月30日

【摘要】随着社会发展,人们对能源提出了新的要求,清洁能源和高效能源成为各国关注对象。固体氧化物燃料电池作为清洁高效能源开始受到人们的重视,而决定其电能转换效率的电解质的选择成为研究热点。中温(500℃-800℃)锗酸镧基陶瓷电解质因为其相对较低的工作温度、化学稳定性和较高的能量效率而成为首选。在此种背景下,我们对锗酸镧为基底的陶瓷电解质进行掺杂研究。本文使用以NaCl为熔盐的熔盐法进行制备,通过调 […]