抗辐射SOI CMOS器件结构的研究与设计

抗辐射SOI CMOS器件结构的研究与设计

作者:师大云端图书馆 时间:2022-02-22 分类:硕士论文 喜欢:1884
师大云端图书馆

【摘要】近年来空间技术的快速发展,使越来越多的电子设备应用于空间设备中,空间中的辐射环境给这些电子设备带来了很大的危害。由于SOIMOSFET其独特的结构使其具有较强的抗单粒子辐射的能力,但其复杂的结构也使其对抗总剂量辐射效应比传统体硅器件复杂的多。通过对国内外有关SOIMOSFET器件抗总剂量辐射效应的研究状况进行系统化的调研,本论文针对H形栅和环形栅的SOIMOSFET结构的抗总剂量辐射效应进行了研究,并对条形栅、H形栅和环形栅SOIMOSFET结构进行总剂量辐射效应模拟仿真。通过对总剂量辐射效应基本原理及其对SOIMOSFET影响、H形栅和环形栅SOI器件抗辐射结构原理、TCAD模拟仿真等方面的研究和分析,本论文在以下几个方面取得一定的研究成果:1、通过CMOS器件的总剂量辐射效应机理和现有抗辐射器件结构的分析,深入探讨了CMOS器件电学特性退化机制(阈值电压漂移、泄露电流等),为下一步提出抗总剂量SOIMOSFET结构打下基础;2、本文分析和设计了具有较好抗总剂量辐射能力的H形栅、正方形栅、圆形栅三种SOIMOSFET结构,并对三种器件结构进行了纵向结构和横向尺寸的设计。基于0.8mSOICMOS工艺,优化设计了W/L分别为2m/0.8m、4m/0.8m、6m/0.8m的H形栅、正方形栅、圆形栅SOIMOSFET;3、针对优化设计的三种抗辐射SOI器件(H形栅、正方形栅和圆形栅),利用SentaurusTCAD软件3D模拟仿真进行抗辐射SOI器件性能的评估。在SentaurusTCAD软件环境中,分别建立条栅、W/L分别为2m/0.8m、4m/0.8m、6m/0.8m的H形栅、正方形栅和圆形栅SOIMOSFET器件结构,并进行了总剂量辐射前后不同器件结构的电学特性仿真和分析,获取了不同栅形状的SOIMOSFET电学特性随总剂量辐射剂量变化的变化关系规律。从中可以看出,H形栅和环栅结构的SOIMOSFET具有较好的抗总剂量辐射效应的能力,且H形栅结构的抗辐射能力要好于环形栅结构;在辐射总剂量为400Krad(SiO2)时,W/L4m/0.8mH形栅结构在抑制阈值电压漂移方面有较大的优势,W/L6m/0.8mH形栅结构在抑制泄露电流方面比较好,从而为进一步设计抗辐射SOIMOSFET器件结构提供可靠的依据。
【作者】周永辉;
【导师】洪慧;
【作者基本信息】杭州电子科技大学,微电子学与固体电子学,2014,硕士
【关键词】CMOS;SOI;总剂量辐射效应;H形栅;环形栅;

【参考文献】
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