【摘要】近年来空间技术的快速发展，使越来越多的电子设备应用于空间设备中，空间中的辐射环境给这些电子设备带来了很大的危害。由于SOIMOSFET其独特的结构使其具有较强的抗单粒子辐射的能力，但其复杂的结构也使其对抗总剂量辐射效应比传统体硅器件复杂的多。通过对国内外有关SOIMOSFET器件抗总剂量辐射效应的研究状况进行系统化的调研，本论文针对H形栅和环形栅的SOIMOSFET结构的抗总剂量辐射效应进 […]

【摘要】随着硅基光电子学的迅速的发展,应用光信号代替电信号作为信息的载体越来越受到关注,而硅基光电子器件凭借其成本低、工艺兼容性好、微纳光学特性良好等优点,是集成光学中最有潜力的材料平台,因此它成为了国内外研究的热点。而基于SOI的环形谐振腔结构具有结构微小、系统稳定、相互干扰度低、品质因数高等优势,已经成为硅基光子器件中重要的基础原件,在很多领域都可以应用。最近一种在光学谐振腔中实现类电磁诱导透 […]

【摘要】在高温恶劣环境下，气体压力参数的敏感测试由于敏感头的机械结构功能退化、连接引线高温失效等问题，是无法进行实时动态测量的。因此，要对压力传感器进行高温设计，从敏感头材料到连接线材料，及至封装管壳的选取，都要使用在高温下性能仍然稳定的材料，而且要从整个传感器设计上，采用耐高温的设计，以确保压力传感器能够在高温下稳定正常工作。本文采用SOI材料作用敏感头材料，使敏感头在高温下避免了本征半导体被激 […]