【摘要】近年来空间技术的快速发展，使越来越多的电子设备应用于空间设备中，空间中的辐射环境给这些电子设备带来了很大的危害。由于SOIMOSFET其独特的结构使其具有较强的抗单粒子辐射的能力，但其复杂的结构也使其对抗总剂量辐射效应比传统体硅器件复杂的多。通过对国内外有关SOIMOSFET器件抗总剂量辐射效应的研究状况进行系统化的调研，本论文针对H形栅和环形栅的SOIMOSFET结构的抗总剂量辐射效应进 […]