【摘要】GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能,使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非常适合应用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝、绿光和紫外光电子器件,在无线通信基站、卫星、雷达、汽车电子、航空航天、核工业、军用电子等国民经济和国防建设领域中有着广泛的应用。GaN基异质结场效应晶体管器件主要包括：AlGaN/GaNHFE […]

【摘要】由于四硫富瓦烯(TTF)是具有可逆氧化还原性质的强电子给体,四硫富瓦烯及其衍生物广泛应用于超分子科学、材料科学和纳米科学等研究领域。但是将四硫富瓦烯衍生物用作半导体材料时,由于它的强给电子性能,导致其对湿气和氧气敏感,从而引起材料的降解。所以作为半导体材料时,一般在四硫富瓦烯的结构中引入共轭结构和强的吸电子基团,来提高材料的稳定性。在本论文中,将吸电子性质的哒嗪环并接到TTF结构中,首次合 […]