【摘要】GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能,使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非常适合应用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件以及蓝、绿光和紫外光电子器件,在无线通信基站、卫星、雷达、汽车电子、航空航天、核工业、军用电子等国民经济和国防建设领域中有着广泛的应用。GaN基异质结场效应晶体管器件主要包括：AlGaN/GaNHFE […]