【摘要】ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,因其具有优异的光电性能而拥有巨大的应用前景。在ZnO中掺入少量的Se元素,可以调节能带,使其价带顶上升,导带底下降,禁带宽度变小。ZnO的价带顶提高后,可以使一些受主杂质的能级变浅,因此有利于p型掺杂。本文使用射频磁控溅射技术,制备了组分和带隙可调的ZnOSe合金薄膜及N掺杂的p型ZnOSe薄膜,使用脉冲激光沉积技术制备了Na掺杂的p型ZnOSe薄膜。主 […]