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ZnOSe合金薄膜的制备及p型掺杂研究 01月15日

【摘要】ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,因其具有优异的光电性能而拥有巨大的应用前景。在ZnO中掺入少量的Se元素,可以调节能带,使其价带顶上升,导带底下降,禁带宽度变小。ZnO的价带顶提高后,可以使一些受主杂质的能级变浅,因此有利于p型掺杂。本文使用射频磁控溅射技术,制备了组分和带隙可调的ZnOSe合金薄膜及N掺杂的p型ZnOSe薄膜,使用脉冲激光沉积技术制备了Na掺杂的p型ZnOSe薄膜。主 […]

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PLD法制备环形器用微米级YIG薄膜 10月30日

【摘要】环形器是一种在军事和民用领域都被广泛应用的微波器件。传统的环形器都是在块状铁氧体材料上制备的,导致其具有体积大、质量重等缺点。随着现代化设备对器件的体积、质量等因素越来越敏感,发展出体积小、质量轻的环形器已经刻不容缓。薄膜环形器就是在这种背景下应运而生的。虽然已经有很多研究人员对薄膜环形器做了大量的研究,但是当前的薄膜环形器制备技术仍然很不成熟,其中一个制约其发展的因素就是难以制备出高质量 […]

YSZ及YSZ/STO/YSZ三层电解质薄膜结构与电学性能研究 01月02日

【摘要】固体氧化物燃料电池(SOFC)是一个对环境友好型的低污染能源转换装置,将燃料中的化学能直接转化为电能。决定SOFC性能的最主要因素是中低温下电解质材料离子电导率的大小,本文就降低电解质膜的厚度及构筑新型超晶格电解质薄膜材料以降低电池工作温度进行了详细研究。利用激光脉冲沉积技术在多孔NiO-YSZ阳极基底制备YSZ薄膜及MgO(110)单晶基底制备纳米级YSZ薄膜和YSZ/STO/YSZ三层 […]

Sm_(0.6)Nd_(0.4)NiO_3/LaAlO_3异质外延薄膜中的金属绝缘体转变 11月09日

【摘要】在凝聚态物理中,金属绝缘体转变(MI转变)是一个存在已久的课题。几十年来,人们一直试图从实验和理论上揭示金属绝缘体转变背后所蕴藏的基本机制。钙钛矿稀土镍酸盐ReNiO3是一类典型的具有MI转变的电子强关联材料,这里Re通常指除La以外的La系过渡金属元素,还包括如Tl、Bi等重金属元素。随着温度的降低,这类材料从高温顺磁金属态向低温反铁磁绝缘态转变,在MI转变温度(TMI)附近有很大的电导 […]

(PbTiO_3)_(1-x)-(CoFe_2O_4)_x复合磁电材料库中准同型相界及机理研究 11月08日

【摘要】本论文分为三个部分(三章):第一部分是文献综述;第二部分是(PbTiO3)1-x-(CoFe2O4)x复合磁电材料库的结构表征和分析,重点分析了材料库中出现的相变及准同型相界;第三部分是(PbTiO3)1-x-(CoFe2O4)x复合磁电材料库中出现准同型相界的机理研究。第一章是论文涉及内容的背景知识和相关进展的介绍。首先从准同型相界的历史出发,介绍了准同型相界的机理,详细综述了准同型相界 […]