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GZO透明导电薄膜的制备及其应用研究 01月18日

【摘要】本文利用射频磁控溅射技术制备GZO透明导电薄膜,研究了溅射压强、溅射功率、高温退火、H等离子处理等工艺对薄膜性能的影响,制得了光电性能优异的GZO透明导电薄膜。在此基础上,设计了GZO薄膜用作硅基太阳能电池透明窗口和电极的新型太阳能电池,开展了前期测试与研究。主要工作内容包括:1.采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上生长了高透明导电的GZO薄膜,研究了溅射压强、溅射功率对GZO薄膜结构、形貌、 […]

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H、F掺杂ZnO透明导电薄膜的制备及其性能研究 01月18日

【摘要】透明导电电极材料在信息科技和新能源技术中起到了很重要的作用。这些材料,尤其是透明导电氧化物(TCO)广泛应用于低发射率涂层,平板显示,薄膜太阳能电池和有机发光二极管等器件上。在这类材料中,n型掺杂的氧化锌(Zn0)具有良好的光电性能。怎样增加载流子迁移率是制备高性能Zn0基透明导电薄膜的关键技术,因为迁移率的提高不仅可以减低电阻率,而且可以提高光透过率。在本文中,我们研究了H、F两种非金属 […]

磁控溅射Cr-Me-N薄膜微结构调控及增韧机制研究 01月15日

【摘要】针对如何提高CrN基硬质薄膜韧性的命题,本文采用闭合磁场非平衡磁控溅射离子镀沉积技术制备了CrN薄膜,在此基础上添加Al、Nb元素获得CrN/AlN、CrN/CrAl/NbN多层调幅结构薄膜和CrAIN、CrAlNbN复合薄膜。应用压入法测定薄膜的四角裂纹长度,并用压痕断裂力学理论计算出薄膜的断裂韧性;分析研究具有不同晶体取向的CrN镀层、含Al、Nb等不同添加元素的Cr-Me-N基薄膜的 […]

ZnOSe合金薄膜的制备及p型掺杂研究 01月15日

【摘要】ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料,因其具有优异的光电性能而拥有巨大的应用前景。在ZnO中掺入少量的Se元素,可以调节能带,使其价带顶上升,导带底下降,禁带宽度变小。ZnO的价带顶提高后,可以使一些受主杂质的能级变浅,因此有利于p型掺杂。本文使用射频磁控溅射技术,制备了组分和带隙可调的ZnOSe合金薄膜及N掺杂的p型ZnOSe薄膜,使用脉冲激光沉积技术制备了Na掺杂的p型ZnOSe薄膜。主 […]

SiC过渡层制备温度对SiC/F-DLC复合薄膜血液相容性的影响 08月01日

【摘要】以316L不锈钢为基底,SiC晶体为靶材,Ar为源气体,采用磁控溅射法在不同温度下制备出系列SiC过渡层。然后以高纯石墨作靶,Ar和CHF3为源气体在相同工艺条件下再续镀一层F-DLC薄膜,形成SiC/F-DLC复合薄膜。研究表明,相比于F-DLC薄膜,复合薄膜的附着力显著增加,血液相容性明显改善。通过样品的拉曼和红外光谱分析了不同温度下制备的SiC过渡层以及复合薄膜结构的演变。结果表明, […]

微加工技术在高精度位移传感器中的应用 07月15日

【摘要】随着科学技术的不断发展和人类生活水平的不断提高,近年来出现了各种各样的传感器。高精度位移传感器是一种新型的传感器,相对于其它大位移传感器,高精度位移传感器具有其独特的优势。这类传感器的结构比较多,其主要的特征是电极呈栅状,因此也被称为容栅式位移传感器。当电极之间发生平行移动时,相对覆盖面积发生变化,从而电容量随之发生改变,实现几何量的测量。因此,具有广泛的应用。本文第一章首先介绍容栅式位移 […]

多层石墨烯膜层及其纳微米图案化结构 10月30日

【摘要】石墨烯作为一种新兴材料最近几年在世界范围内掀起了热潮。它是一种蜂窝状的二维平面材料,其中每个碳原子具有一个s轨道和3个p轨道。一个s轨道和两个p轨道与其他碳原子形成刚性的σ键使石墨烯具有良好的机械强度,剩余的p轨道电子集合在一起组成大π键从而赋予石墨烯优良的性能。由于其具有良好的导电性,导热性,透光性,生物相容性,非常好的机械强度,使得它在各个领域引起人们的重视。科学家们更是将它作为材料中 […]

Si/C多层膜锂离子电池负极材料的研究 10月30日

【摘要】太阳能、风能等清洁能源在全球范围广泛使用,是下一代能源利用的主要形式,但它们的缺点是供能间歇式的问题:野外设施(比如通讯基站)的储能也是一个亟待解决的问题。因此,寻找高比容量的储能设备显得尤为重要。另一方面,随着人们环保意识的加强以及化石类不可再生资源的不断消耗,电动汽车替代传统汽车成为了发展的必然趋势,从而也提高了对高能量密度,高功率密度锂离子动力电池的需求。锂离子电池具有高电压、高比能 […]

硫化亚铜和氧化锌复合薄膜的制备与特性研究 03月22日

【摘要】ZnO是一种直接带隙宽禁带(Eg=3.1-3.3eV)半导体材料,并且具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质,在能量转化、发光元件、太阳能电极、光催化、单色场发射显示器材料、光电子器件、表面声波元件、生物光学以及通讯等领域具有广泛的用途。目前,开发透明导电氧化物薄膜的新材料的主要研究目标是在可见光谱范围内实现更高的透射率和较低的电阻率。通常情况下,ZnO薄膜具有锌填隙Zni和氧空位Vo的施 […]

纳米结构Co/ZnO颗粒膜的结构、磁性和磁电阻效应 10月31日

【摘要】自从在Fe/Cr金属多层膜中发现巨磁电阻效应以后,人们相继在磁性金属/非磁性材料的多层膜,颗粒膜和磁性隧道结中都发现了磁电阻效应,并且在磁传感器、计算机读头以及磁随机存储器等自旋器件中得以广泛应用。但是金属/绝缘体薄膜中存在一些缺点,如I-V特征曲线过宽、电阻过高和针孔效应的存在,这些不利因素的存在会给材料的应用带来困难。而半导体材料具有较低的势垒高度,能够显著的降低材料的电阻率,通过增加 […]