【摘要】三元化合物InGaAs是比较重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，它可以由InAs和GaAs两种材料以任何配比形成，晶格常数随组分近似为线性变化，可以从GaAs的0.5653nm增加到InAs的0.6058nm，截止波长分别为3.5μm和0.87μm，是制备短波红外探测器的理想的材料。InxGa1-xAs的In组分为0.53时，与InP衬底材料晶格匹配，因此可以制备出高质量的In0.53Ga0.47A […]