【摘要】三元化合物InGaAs是比较重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，它可以由InAs和GaAs两种材料以任何配比形成，晶格常数随组分近似为线性变化，可以从GaAs的0.5653nm增加到InAs的0.6058nm，截止波长分别为3.5μm和0.87μm，是制备短波红外探测器的理想的材料。InxGa1-xAs的In组分为0.53时，与InP衬底材料晶格匹配，因此可以制备出高质量的In0.53Ga0.47A […]

【摘要】ECAP作为严重塑性变形制备块体超细晶材料的一种工艺,在实现晶粒超细化的同时改善了材料综合力学性能。不同结构特点的金属在ECAP多道次挤压过程中的组织演化过程和材料强化机理存在区别,因此本文选取具有fcc结构金属纯铜作为主要研究对象,对其进行多道次的ECAP变形,并计算不同挤压态纯铜位错密度,分析组织,晶粒宏观取向与力学性能的变化过程；最后对不同层错能金属(Al、Cu)在ECAP中组织和力 […]