【摘要】纳米材料由于其优越的物理、力学性能得到了科技领域高度的重视和广泛的应用。当复合材料微结构尺寸达到纳米级时，由于强烈的界面效应和尺寸效应，其力学性能将发生显著改变。界面失配位错形核机理是制约复合材料强韧化性能和损伤失效的关键科学问题之一。本文分别以纳米孔介材料和核壳纳米线为研究对象，应用弹性复势理论，获得了含纳米孔和核壳纳米线薄膜材料基体和薄膜区域的复势函数解析解；揭示了表界面效应和相关材料 […]

【摘要】三元化合物InGaAs是比较重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，它可以由InAs和GaAs两种材料以任何配比形成，晶格常数随组分近似为线性变化，可以从GaAs的0.5653nm增加到InAs的0.6058nm，截止波长分别为3.5μm和0.87μm，是制备短波红外探测器的理想的材料。InxGa1-xAs的In组分为0.53时，与InP衬底材料晶格匹配，因此可以制备出高质量的In0.53Ga0.47A […]