【摘要】ZnO是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,因其具有很多特性,有望成为新一代光电材料。本文利用热注入法合成分散性良好的ZnO纳米晶,并通过不同的方法对纳米晶的表面进行改性。制备了ZnO纳米晶薄膜并测试了其紫外光电导性能,来探讨ZnO纳米晶表面改性的效果。主要研究内容如下：1、利用正丁胺配体交换ZnO纳米晶表面原有的硬脂酸根配体,FTIR表明正丁胺可以有效地取代硬脂酸根,UV表明交换前后的ZnO […]