【摘要】ZnO是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,因其具有很多特性,有望成为新一代光电材料。本文利用热注入法合成分散性良好的ZnO纳米晶,并通过不同的方法对纳米晶的表面进行改性。制备了ZnO纳米晶薄膜并测试了其紫外光电导性能,来探讨ZnO纳米晶表面改性的效果。主要研究内容如下：1、利用正丁胺配体交换ZnO纳米晶表面原有的硬脂酸根配体,FTIR表明正丁胺可以有效地取代硬脂酸根,UV表明交换前后的ZnO […]

【摘要】由于CZTS和CZTSe具有高的吸收系数(1×105cm1)，与太阳光相匹配的合适的禁带宽度，高辐射稳定性，较高的能量转换效率等优秀性质，因此可以作为下一代光伏材料。目前文献报道了许多CZTSe纳米材料的合成方法，主要包括物理方法和化学方法。其中物理方法成本较高，纳米晶的尺寸和形貌难以控制，很难得到单分散性的纳米晶；因为化学方法易操作，可以通过传统的仪器合成，并且成本比较低廉，所以使用化学 […]