【摘要】稀磁半导体具有较传统半导体显著的优越性质，近些年来受到了人们更多的关注，稀磁半导体具有速度快、低能耗、体积小、非易失性等重要特点，使得未来电子器件的性能可以突破传统电子器件物理上的局限，特别是低维的稀磁半导体材料可以提供更多的操作特性。本文主要研究了稀磁半导体纳米带的磁学性质，计算了平均场近似下的磁化曲线以及在自旋波近似下的自旋波谱。结果表明稀磁半导体纳米带的磁学性质强烈地依赖于载流子密度 […]

【摘要】稀磁半导体（DMSs）在传统半导体的基础上引入电子的自旋属性，使之在微电子领域有更广泛的应用前景.但是还存在一些重要的问题没有解决，如铁磁性来源、居里温度低、掺杂物溶解的固溶度等.本文从理论的角度，系统的研究了p-n共掺方法对一些稀磁半导体体系铁磁稳定性的影响，进而发现了利用p-n共掺方法提高这些体系居里温度的一般性规律。具体包括以下两方面的研究:（1）我们采用第一原理密度泛函理论研究了p […]

【摘要】稀磁半导体材料所产生的室温铁磁性作为近年来研究的一种新的磁现象。它突破了传统半导体材料只利用电子电荷自由度来运输和处理信息的瓶颈,实现了半导体可以同时利用电子电荷自由度和自旋自由度集于一起的新型半导体材料。可是稀磁半导体材料中室温铁磁性的来源机理尚不明确,有研究者认为铁磁性的产生是由掺杂的过渡金属离子所产生的,也有研究者认为是形成的缺陷所产生的本征室温铁磁性。对于稀磁半导体材料中室温铁磁性 […]

【摘要】稀磁半导体材料是利用3d族过渡金属离子,或4f族稀土金属离子取代Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅵ族或Ⅱ-Ⅴ族的化合物其中的一部分非磁性阳离子形成的。稀磁半导体材料开启了白旋电子学,具有优异的光学、电学、磁学和光催化等物理化学特性。稀磁半导体材料不仅具有电子的电荷特性还具有电子的自旋特性。稀磁半导体材料具有这些特殊的性质,从而使国内外的广大科研工作者对其产生了极大的研究兴趣。ZnO稀磁半导体纳米材料在功能材 […]