【摘要】Cu掺杂的一维纳米氧化锌(ZnO)材料由于其在光学、电学及磁学等多个方面均具有独特的性质,尤其在光电器件及自旋电子学器件领域具有重大应用潜力,受到了研究者们的广泛关注。此外通过适当的共掺杂的方法可以有效的调节材料的性能。本文采用电化学沉积法(ECD)及化学气相传输(CVT)结合扩散的方法制备了ZnO以及ZnO:Cu纳米棒(线)阵列,并在此基础上制备了基于单根纳米线的场效应晶体管(FET), […]

【摘要】稀磁半导体材料所产生的室温铁磁性作为近年来研究的一种新的磁现象。它突破了传统半导体材料只利用电子电荷自由度来运输和处理信息的瓶颈,实现了半导体可以同时利用电子电荷自由度和自旋自由度集于一起的新型半导体材料。可是稀磁半导体材料中室温铁磁性的来源机理尚不明确,有研究者认为铁磁性的产生是由掺杂的过渡金属离子所产生的,也有研究者认为是形成的缺陷所产生的本征室温铁磁性。对于稀磁半导体材料中室温铁磁性 […]