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TiO_2基稀磁半导体的制备及室温铁磁性研究 06月08日

【摘要】稀磁半导体材料所产生的室温铁磁性作为近年来研究的一种新的磁现象。它突破了传统半导体材料只利用电子电荷自由度来运输和处理信息的瓶颈,实现了半导体可以同时利用电子电荷自由度和自旋自由度集于一起的新型半导体材料。可是稀磁半导体材料中室温铁磁性的来源机理尚不明确,有研究者认为铁磁性的产生是由掺杂的过渡金属离子所产生的,也有研究者认为是形成的缺陷所产生的本征室温铁磁性。对于稀磁半导体材料中室温铁磁性 […]