【摘要】随着科技的不断发展,CIGS薄膜太阳能因为其高的转化效率、低成本、耐辐射性和长期稳定性特点而迅速发展并且成为研究热点。CIGS薄膜太阳电池的一般结构为前电极|ZnO窗口层|CdS缓冲层|CIGS吸光层|Mo背电极|玻璃,它的核心层是p型CIGS和n型CdS形成的p-n异质结。由于相邻层界面处成分和结构的突变以及一些界面缺陷的存在,会在界面的带隙中出现界面态(interfacestates) […]

【摘要】随着硅(Si)基MOSFETs器件的缩小逼近其物理极限,提高其性能已经变得越来越困难,因此对新材料新结构的研究将变得越来越重要。一方面,锗(Ge)因其具有较高的空穴迁移率和电子迁移率而成为在未来CMOS器件中最有潜力替代Si的新沟道材料。另一方面,高介电常数(high-k)栅介质因其具有更高的介电常数而有利于栅氧化层厚度的进一步减小。所以,high-k栅介质Ge基金属-氧化物-半导体场效应 […]