【摘要】随着硅(Si)基MOSFETs器件的缩小逼近其物理极限,提高其性能已经变得越来越困难,因此对新材料新结构的研究将变得越来越重要。一方面,锗(Ge)因其具有较高的空穴迁移率和电子迁移率而成为在未来CMOS器件中最有潜力替代Si的新沟道材料。另一方面,高介电常数(high-k)栅介质因其具有更高的介电常数而有利于栅氧化层厚度的进一步减小。所以,high-k栅介质Ge基金属-氧化物-半导体场效应 […]