【摘要】高性能、高速度、低功耗、微小化是现代集成电路发展的方向,集成电路中器件尺寸的不断缩小必然使得器件性能的物理效应发生变化。器件特征尺寸的不断缩小要求MOSFET的栅氧化层厚度不断减小,使得氧化层电容随着器件尺寸的缩小而成比例减小,当栅氧化层厚度减小到一定程度时便会产生栅极泄露电流,由于MOSFET的寄生电容并没有随着器件尺寸的缩小成比例减小,因此器件的可靠性受寄生电容的影响越来越严重。用低漏 […]

【摘要】MOSFET非本征部分产生寄生电容会影响器件的性能,如何降低寄生电容的大小,一直是国内外学者的研究热点。集成电路的集成度一直遵循摩尔定律,器件特征尺寸的不断缩小要求MOSFET的栅氧化层厚度越来越薄,因为薄栅氧化层厚度能改善器件的特性并能有效抑制短沟道效应。但是超薄栅氧化层厚度会产生栅极泄漏电流,并且寄生电容并不随器件尺寸的减小而成比例减小,因此必须用低漏电流且物理厚度大的高K栅材料代替二 […]