【摘要】MOSFET非本征部分产生寄生电容会影响器件的性能,如何降低寄生电容的大小,一直是国内外学者的研究热点。集成电路的集成度一直遵循摩尔定律,器件特征尺寸的不断缩小要求MOSFET的栅氧化层厚度越来越薄,因为薄栅氧化层厚度能改善器件的特性并能有效抑制短沟道效应。但是超薄栅氧化层厚度会产生栅极泄漏电流,并且寄生电容并不随器件尺寸的减小而成比例减小,因此必须用低漏电流且物理厚度大的高K栅材料代替二 […]